IGBT与碳化硅器件技术-陆军预研-L-SD-11
发布时间：2017-11-27
对接截止时间：2017-12-15
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功能用途
用于电机驱动和发电控制的功率器件
主要指标
一、研究内容：
（1）芯片关键技术研究；
（2）模块封装关键技术研究；
（3）模块特性测试与试验验证技术。
二、技术指标：
（1）1400A/1700V IGBT半桥器件主要指标
芯片采用国产芯片封装；额定电压：1700V；额定电流：1400A；IGBT结温：Tvj≥175℃；
（2）450A/1700V IGBT全桥器件
芯片采用国产芯片封装；额定电压：1700V；额定电流：450A；IGBT结温：Tvj≥175℃；
（3）450A/1200V SiC MOSFET半桥器件
芯片采用国产芯片封装；额定电压：1200V；额定电流：450A；SiC MOSFET结温：Tvj≥200℃；
（4）200A/1700V SiC MOSFET半桥器件
芯片采用国产芯片封装；额定电压：1700V；额定电流：200A；SiC MOSFET结温：Tvj≥200℃；
三、择优方式：实物比测
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