808nm高功率高效率半导体激光芯片
基本信息
| 研制单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 先进程度 | |
| 联系人 | 王贞福 | 联系方式 | |
| 支持渠道 | 中科院百人计划 | 专业领域 | |
| 成果关键词 | 808nm半导体激光芯片；高功率；高效率 | ||
成果内容
高功率半导体激光芯片是整个激光产业链的源头、基石和核心，也是泵浦全固态激光器的核心元器件，而目前国内高功率的半导体激光芯片主要依赖进口。西安光机所自主研制出高功率高效率808nm半导体激光芯片，在功率、效率和寿命指标方面均达到国内领先水平。主要指标如下：808nm单巴准连续输出功率大于300W（占空比8%），最高电光转换效率大于65%，寿命大于3x109shots。
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