宽温区集成电路工艺技术-31513040203-信息系统2017预研
发布时间：2017-08-29
对接截止时间：2017-09-21
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已对接企业数量：
功能用途
备注：2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接，请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范（试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向：突破耐高温CMOS/SOI的关键工艺，建立自主可控的高温CMOS/SOI工艺平台。
牵引性指标：阈值电压 |△Vt|≤50%；（-55℃～200℃）；饱和电流|△Isat|≤50%；（-55℃～200℃）；击穿电压|△BV|≤30%；（-55℃～200℃）；关断电流|Ioff|≤10nA（200℃）。
进度要求：2017～2019年。
成果形式：样品、专利、论文、技术报告、国防报告等。
最大支持单位数：1，每家单位经费限额：350万元。
声明：本内容由军队相关单位提供，任何媒体、互联网站和商业机构不得擅自转载。